SRAM密度仅提升5%，消息称台积电N3工艺迎来重大挑战

来源：YPS数据挖掘大师 2023-05-30 浏览：212 字号：T|T

摘要：YPS行业门户系统5月30日消息，根据国外科技媒体WikiChip报道，台积电N3工艺节点的SRAM密度和N5工艺节点基本相同。台积电在近日举办的2023技术研讨会上，展示了关于N3节点阵容的更多信息。研讨会上的幻灯片显示，显示N3工艺虽然改进了逻辑密度（logicdensity），但是SRAM密度基本相同。从最近几年芯片缩微化来看，SRAM密度明显要慢于芯片逻辑密度，也必然对未来更先进的芯片工艺……

　　YPS行业门户系统 5 月 30 日消息，根据国外科技媒体 WikiChip 报道，台积电 N3 工艺节点的 SRAM 密度和 N5 工艺节点基本相同。

　　台积电在近日举办的 2023 技术研讨会上，展示了关于 N3 节点阵容的更多信息。研讨会上的幻灯片显示，显示 N3 工艺虽然改进了逻辑密度（logic density），但是 SRAM 密度基本相同。

　　从最近几年芯片缩微化来看，SRAM 密度明显要慢于芯片逻辑密度，也必然对未来更先进的芯片工艺进展带来更大的挑战。

　　台积电最初声称 N3B SRAM 密度比 N5 工艺高 20%，而最新信息显示，SRAM 密度仅提升 5% 。

　　SRAM 是处理器晶体管等成本的大头，在没有密度改善的情况下，无疑会推高 N3B 的制造成本。

　　YPS行业门户系统在此附上详细报道原文，感兴趣的用户可以点击阅读。

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