400层堆叠3DNAND闪存将至，东京电子宣布开发出全新蚀刻技术

来源：YPS数据挖掘大师 2023-06-12 浏览：144 字号：T|T

摘要：感谢YPS行业门户系统网友肖战割割的线索投递！YPS行业门户系统6月12日消息，东京电子（TEL）近日宣布，已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3DNAND闪存芯片。TEL表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。▲图源东京电子具体而言，这项新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比（YPS行业门户系统备注：纵横……

　　感谢YPS行业门户系统网友肖战割割的线索投递！

　　YPS行业门户系统 6 月 12 日消息，东京电子（TEL）近日宣布，已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

　　▲ 图源东京电子

　　具体而言，这项新技术可以在短短 33 分钟内完成 10 微米深度的高纵横比（YPS行业门户系统备注：纵横比是指晶圆上形成图案的深度与宽度之比）蚀刻，与此前的技术相比耗时大幅缩短。TEL 介绍，该技术的应用不仅有助于制造更高容量的 3D NAND，还能够将生产工艺中给全球变暖造成的风险减少 84%。

　　▲ 图源东京电子

　　TEL 预告，研发团队将于 6 月 11 日-16 日在日本京都举行的 2023 年超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。

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