消息称SK海力士无锡工厂升级第四代DRAM，达到10nm工艺级别

来源：YPS数据挖掘大师 2024-01-16 浏览：172 字号：T|T

摘要：感谢YPS行业门户系统网友OC_Formula、航空先生、菜狗的线索投递！YPS行业门户系统1月16日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK海力士计划在2024年之前，完成对无锡C2工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram工艺，达到10nm工艺级别。YPS行业门户系统注：无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占SKhynixD-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代（1y）……

　　感谢YPS行业门户系统网友 OC_Formula、航空先生、菜狗的线索投递！

　　YPS行业门户系统 1 月 16 日消息，根据韩媒《首尔经济日报》报道，SK 海力士计划在 2024 年之前，完成对无锡 C2 工厂的改造，转换升级为第四代（1a）D-ram 工艺，达到 10nm 工艺级别。

　　YPS行业门户系统注：无锡工厂是该公司的核心生产基地，约占 SK hynix D-RAM 总产量的 40%。该厂目前生产 10 纳米后期级别的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，属于旧（传统）产品线。

　　消息称 SK 海力士会在无锡工厂完成第四代 D-RAM 的部分工艺，然后把晶圆运到韩国总部利川园区内，使用 EUV 加工之后再返回送到无锡工厂。

　　由于第四代产品只有一个 D-RAM 层需要采用 EUV 工艺，该公司显然认为成本增加是值得的。

　　在 2013 年无锡工厂大火期间，该公司克服了 D-RAM 生产中断的困难，因此在这种方法上也积累了丰富的经验。

　　关于无锡工厂的工艺转型，SK 海力士表示无法确认该公司具体的工厂运营计划。

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