AI火热催生HBM需求，消息称三星电子有意引入SK海力士使用的MUF封装工艺

来源：YPS数据挖掘大师 2024-03-13 浏览：126 字号：T|T

摘要：感谢YPS行业门户系统网友软媒新友2xrpri的线索投递！YPS行业门户系统3月13日消息，路透社表示，三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。三位直接知情人士称，三星已经发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其HBM良率……采用MUF技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，……

　　感谢YPS行业门户系统网友软媒新友2xrpri 的线索投递！

　　YPS行业门户系统 3 月 13 日消息，路透社表示，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。

　　三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这相当于效仿了 SK 海力士的行为。”

　　有分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。随着 AI 行业的火热，业界对于 HBM3 和 HBM3E 需求越来越高，三星必须尽快做出改变。

　　消息人士称，三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购 MUF 材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量测试。YPS行业门户系统注：长濑产业株式会社是拥有近 200 年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社。

　　三位消息人士还表示，三星计划在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术。

　　三星回应称，其内部开发的 NCF 技术是适用于 HBM 产品的“最佳解决方案”，并将用于其 HBM3E 芯片，后续“将按照计划推进 HBM3E 产品业务”，而英伟达和长濑拒绝置评。

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