三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试，“正与商业伙伴合作持续改善产品质量可靠性”

来源：YPS数据挖掘大师 2024-05-27 浏览：164 字号：T|T

摘要：YPS行业门户系统5月27日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒BusinessKorea报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行HBM芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代……

　　YPS行业门户系统 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。

　　不过据韩媒 Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。

　　三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。加上本次出现的相关负面舆论，这导致一些分析师怀疑三星“是否有能力从 SK 海力士处迅速夺回市场份额”。

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