消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成，已就此成立专门工作组

来源：YPS数据挖掘大师 2024-06-12 浏览：172 字号：T|T

摘要：YPS行业门户系统6月11日消息，韩媒ZDNetKorea今日表示，三星1bnm（12nm级）DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。参考YPS行业门户系统以往报道，三星电子于2023年5月宣布16Gb版12nm级DDR5内存开始量产，后又于2023年9月宣布12nm级32GbDDR5内存开发成功。▲三星电子12nm级32GbDDR……

　　YPS行业门户系统 6 月 11 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日表示，三星 1b nm（12nm 级） DRAM 内存良率仍不足五成。

　　这一数据远低于 80~90% 的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。

　　参考YPS行业门户系统以往报道，三星电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。

　　▲ 三星电子 12nm 级 32Gb DDR5 内存

　　32Gb 的颗粒容量意味着三星可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。

　　相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。

　　因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被三星电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。

　　三星电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 的产量，未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存，将进行工艺升级。

　　三星电子计划将 12nm 级 DRAM 的产能从目前的每月 4 万片晶圆扩张到三季度的 7 万片和四季度的 10 万片，明年则将进一步提升至每月 20 万片晶圆。

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