消息称美光6月遭遇HBM3E内存封装缺陷，影响向英伟达H200供货

来源：YPS数据挖掘大师 2024-07-13 浏览：139 字号：T|T

摘要：YPS行业门户系统7月12日消息，韩媒ZDNetKorea报道指，美光的HBM3E内存在上(6)月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。美光于2024年2月26日宣布量产基于1β工艺的HBM3E内存，并从二季度开始向英伟达供货，用于H200AIGPU。此外据台媒《工商时报》消息，英伟达H200芯片于二季度下旬进入量产阶段，预计三季度开始大规模交付。韩媒表示，由于问题出现在2.5D封装层面而非……

　　YPS行业门户系统 7 月 12 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道指，美光的 HBM3E 内存在上 (6) 月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。

　　美光于 2024 年 2 月 26 日宣布量产基于 1β 工艺的 HBM3E 内存，并从二季度开始向英伟达供货，用于 H200 AI GPU。

　　此外据台媒《工商时报》消息，英伟达 H200 芯片于二季度下旬进入量产阶段，预计三季度开始大规模交付。

　　韩媒表示，由于问题出现在 2.5D 封装层面而非 HBM 产品本身，美光在此次缺陷中应承担的责任并不大。

　　有分析认为，美光 HBM3E 内存出现问题是台积电在封装过程中使用了错误的材料所致。

　　美光在 2024 财年第三财季（截至今年 5 月 30 日）财报中表示，HBM3E 内存已在上一财季为美光创造了超 1 亿美元（YPS行业门户系统备注：当前约 7.27 亿元人民币）的收入，未来相关收入还会进一步增加。

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