消息称美光将加入16-HiHBM3E战场，已在进行最终设备评估

来源：YPS数据挖掘大师 2025-01-16 浏览：146 字号：T|T

摘要：YPS行业门户系统1月16日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM内存巨头之一的美光也将加入16-Hi（YPS行业门户系统注：即16层堆叠）HBM3E内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。▲美光现有12HiHBM3E三大DRAM原厂中SK海力士在2024年11月率先宣布了其48GB16-HiHBM3E产品，并表示该型内存相较此前的12Hi32GBHBM3E在AI训练方面性能提……

　　YPS行业门户系统 1 月 16 日消息，韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称，DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi（YPS行业门户系统注：即 16 层堆叠）HBM3E 内存的竞争，已在进行最终设备评估，计划年内实现量产。

　　▲ 美光现有 12Hi HBM3E

　　三大 DRAM 原厂中 SK 海力士在 2024 年 11 月率先宣布了其 48GB 16-Hi HBM3E 产品，并表示该型内存相较此前的 12Hi 32GB HBM3E 在 AI 训练方面性能提升了 18%。推理上的改进更是达到了 32%。另一家企业三星电子也是在今年量产 16-Hi HBM3E。

　　美光曾表示该企业的目标是将其在 HBM 细分市场的占有率从此前的低个位数百分比提升至与整体 DRAM 领域相当的 20%。为此美光正积极在全球扩张产能：就在今年初，美光宣布其位于新加坡的 HBM 内存先进封装工厂动工，目标是 2026 年投运。

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