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三星电子否认重新设计1bDRAM,力求提升性能和良率

来源:YPS数据挖掘大师   2025-01-22   浏览:236   字号:T|T
摘要:YPS行业门户系统1月22日消息,消息源DigiTimes今天(1月22日)发布博文,报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代10nm级DRAM(1bDRAM)的报道。YPS行业门户系统昨日援引ETNews报道,三星电子内部为应对其12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能双重困局,已在2024年底决定在改进现有1bnm工艺的同时从头设计新版1bnmDRAM。市场观察人士认为,三星修改1bDRAM……
  YPS行业门户系统 1 月 22 日消息,消息源 DigiTimes 今天(1 月 22 日)发布博文,报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM(1b DRAM)的报道。

  YPS行业门户系统昨日援引 ETNews 报道,三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局,已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

  市场观察人士认为,三星修改 1b DRAM 设计的决定源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM,而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

  此外,据报道,三星启动了名为“D1b-p”的开发项目,旨在提高其 DRAM 业务的竞争力,“p”代表“prime”,象征着卓越的品质,该项目重点关注提高电源效率和散热性能。

  ▲ 三星电子基于现有 12nm 级制程的 32Gb DDR5

  尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者,但目前正面临来自 SK 海力士和美光的挑战。这两家公司都已成功商业化 1b DRAM,SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的开发。

  有消息称,三星 Galaxy S25 系列智能手机即将发布,美光将成为其主要的移动 DRAM (LPDDR5) 供应商。这被认为是由于三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。

  三星通过该媒体予以否认,称相关报道不准确。此次事件引发了业界广泛关注,凸显了存储芯片市场竞争的激烈程度。

  尽管三星否认了重新设计的报道,但业内人士透露,三星的目标是提升 1b DRAM 的性能和良率。据称,重新设计涉及工艺调整,成本高昂且复杂,三星已紧急订购设备,计划在 2024 年底前完成安装和测试,更新后的 1b DRAM 预计将于 2025 年第二或第三季度量产。
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