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铠侠计划五年内将产量翻一番,以满足AI数据中心对NAND的需求

来源:YPS数据挖掘大师   2025-06-07   浏览:116   字号:T|T
摘要:YPS行业门户系统6月6日消息,铠侠控股昨日召开经营方针说明会,称其计划在五年内将产能翻一番(YPS行业门户系统注:以存储容量计算),到2026年生产出下一代NAND闪存。铠侠表示,计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线,到2029财年将产能较2024财年提高一倍,以满足AI数据中心对NAND闪存日益增长的需求。同日,该公司公布了其中长期经营计划,北上市第二生产基地大楼将于9月落成,并将引入新……
  YPS行业门户系统 6 月 6 日消息,铠侠控股昨日召开经营方针说明会,称其计划在五年内将产能翻一番(YPS行业门户系统注:以存储容量计算),到 2026 年生产出下一代 NAND 闪存。

  铠侠表示,计划通过扩大其四日市工厂和北上工厂的生产线,到 2029 财年将产能较 2024 财年提高一倍,以满足 AI 数据中心对 NAND 闪存日益增长的需求。

  同日,该公司公布了其中长期经营计划,北上市第二生产基地大楼将于 9 月落成,并将引入新设备以提升产能,计划在 2026 年 3 月实现其销售额超过现有产品。

  ▲ 铠侠北上市第二生产基地

  铠侠下一代存储器被称为“存储级存储器(SCM)”,其数据读写速度快于 NAND,与目前用于 AI 的 DRAM 相比存储容量更大,因此与 AI 芯片结合使用时可进一步提升 AI 性能。

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