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发表于 2020-06-21 14:11 |
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国家存储器基地项目二期于武汉开工:月规划产能20万片国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。 项目计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。 其中,一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能;二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。 |
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