格罗方德FinFET工艺12LP终成,下半年流片
YPS行业门户系统7月2日消息当地时间2020年6月30日,格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)宣称其最先进的FinFET技术解决方案12LP+已完成技术鉴定,并已准备在下半年正式投产。
2018年8月,格罗方德宣布无限期停止7nm工艺的投资研发,继而转向现有14/12nmFinFET工艺。据格罗方德称,12LP+建立在其14nm/12LP平台之上。LP12+针对人工智能(AI)进行了优化,且在AI训练芯片领域通过了IP验证。
得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压SRAM和改进的模拟布局设计法则等优化,12LP+相较于12LP,实现了性能20%的提升,占用面积减少10%的进步。与14LPP相比,12LP+可实现10%的封装密度提升和6%的频率提升。
另外,格罗方德也在拓展12nmLP+的IP产品组合,其中包括PCIe3/4/5、USB2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。
YPS行业门户系统了解到,目前格罗方德旗下最先进的工厂是位于美国纽约的Fab8。且上周他们在这附近又获得了一块未开发的土地购买选择权,面积约为66英亩,约26.7公顷。据媒体芯智讯称,Fab8或将会迎来扩建,且格罗方德方面也宣布计划于2020年下半月进行数次12LP+流片试产。