YPS行业门户系统7月2日消息据外媒prnewswire今日报道，SK海力士宣布，其已能够大规模批量生产新一代高速“HBM2E”DRAM芯片。

　　YPS行业门户系统了解到，去年8月SK海力士宣布成功研发出新一代DRAM内存/显存芯片“HBM2E”。今日，海力士正式已成功量产这一代HBM2E存储。

　　图源SK海力士官网

　　官方称其HBM2E拥有每pin3.6Gbps的性能、每秒460GB以上的带宽、共1024个I/O（输入/输出）。HBM2E通过TSV（ThroughSiliconVia）硅穿孔技术垂直堆叠八颗16GbDRAM芯片，容量达16GB，是上一代产品（HBM2）两倍以上的容量。

　　值得一提的是，SK海力士也是第一个研发出HBM存储的厂商。首发于2015年的AMDRadeonFury显卡中。

　　海力士还表示，HBM2E是适合深度学习加速器（deeplearningaccelerator）、高性能计算机等新一代人工智能（AI）系统的存储器解决方案，将用于更多合作伙伴的产品。

　　注：

　　HBM：HighBandwidthMemory，高带宽内存，相较传统DRAM，借助TSV技术提升数据处理速度的高性能、高带宽存储器产品

　　TSV（ThroughSiliconVia）：硅打孔技术，通过在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术，可降低芯片功耗以及缩减芯片体积。

　　460GB/s计算：以每pin3.6Gbps的速度通过1024个数据I/O=3686.4Gbps=460.8GB/s。