YPS行业门户系统7月28日消息，据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发展新契机。

　　据介绍，碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体材料，对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的发展至关重要。目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸，但其厚度通常在~20-30mm之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

　　科研人员表示，增加碳化硅单晶厚度主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。针对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺，显著提升了碳化硅单晶的生长速率，成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。

　　下载YPS行业门户系统APP，分享赚金币换豪礼

　　相关文章

　　关键词：碳化硅，半导体，单晶

　　Gartner：全球半导体销售增长将在今年放缓，明年转为下降西安龙腾8英寸功率半导体项目预计10月投产，年产360万片硅外延片TCL中环：已成为中国大陆地区最大的半导体材料制造出货商苹果再次被三星挖墙脚，这次是一名半导体芯片专家韩国半导体专利优先审查期将从逾1年缩短至2.5个月消息称三星电子拟扩大半导体封装产能